多通道SiC固态功率控制器热仿真及设计优化

赖耀康; 王浩南; 曹玉峰; 王梓丞; 叶雪荣; 翟国富

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多通道SiC固态功率控制器热仿真及设计优化

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随着SiC MOSFET的发展,以该器件作为核心部分的多通道SiC固态功率控制器逐渐应用于高功率密度领域。由于其温升和极端环境温度更高,所以对产品的热管理需求也随之提升。因此,准确评估产品内部热分布是实现高性能多通道固态功率控制器设计的前提。以额定电压270 V,额定电流240 A的12路固态功率控制器为对象,分析其热失效机理,建立简化有限元模型。分别对120 A.180 A降额工作情况进行稳态与瞬态的热仿真及验证。对240 A满载工作情况进行热仿真,根据仿真结果及实际情况做出热设计优化。最后,进行优化产品的满载测试,验证热仿真及设计优化的正确性。

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来源
《电器与能效管理技术》 |2022年第2期|42-45|共5页
作者
赖耀康; 王浩南; 曹玉峰; 王梓丞; 叶雪荣; 翟国富;
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作者单位

北京市科通电子继电器总厂有限公司;

哈尔滨工业大学电器与电子可靠性研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类控制器;
关键词
SIC; 固态功率控制器; 热失效机理; 热仿真; 设计优化;

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