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郑媛;
机译:低电流区域的通态电压降低60%三菱配备MOSFET电源模块
机译:亚毫欧MOSFET最坏情况的通态压降在50A时仅为27.9 mV
机译:115μm漂移层上SiC功率UMOSFET的通态特性
机译:场截止IGBT中通态压降的温度依赖性
机译:用于无线通信的硅MOS场效应晶体管RF /微波非线性模型研究和功率放大器开发
机译:具有MOS2通道的陡坡栅极连接原子阈值开关场效应晶体管及其在红外检测光电晶体管上的应用
机译:基于通态电压降的IGBT逆变器功率限制检测
机译:与ssC电路设计相关的结对场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的辐射效应
机译:功率半导体器件包括垂直MOSFET和绝缘栅双极晶体管作为功率半导体芯片组件,垂直结场效应晶体管和MOSFET的堆叠,桥电路和级联电路
机译:集成电源电路,例如测量MOSFET的通态电阻,具有带端口的功率成分,以及将MOSFET的内部开关连接端口与一个内部电路点和一个外部电路点连接的端口
机译:基于铁电的场效应晶体管,具有阈值电压开关,可增强通态和关态性能
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