Ta2O5薄膜沉积在Ta的可能性和可靠性

汪洋

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Ta2O5薄膜沉积在Ta的可能性和可靠性

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@@ 用Ta作底电极材料能够替代Ta2O5膜存储电容器传统的贵金属电极.所沉积的Ta2O5膜呈无定形,沉积在退火Ta底电极上的RTA加工(30s,O2气氛下800m℃)膜,在100kV/cm下介电常数为41,漏电流密度为10-9A/cm2,具有良好的电性能.时间相关介质击穿特性表明沉积在退火Ta底电极上的RTA处理Ta2O5MIM电容器,能在应力场为1.5MV/cm下使用10年.应用Ta作电极会大幅度降低工艺复杂性和未来高密度DRAM的生产成本.

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来源
《电子产品与技术》 |2001年第6期|26-28|共3页
作者
汪洋;
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作者单位

无;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
薄膜沉积; 可靠性; 氧化钽;

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