一种基于缺陷地结构的超宽阻带低通滤波器

王斌; 郭佳; 黄文; 荆麟

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一种基于缺陷地结构的超宽阻带低通滤波器

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提出了一种在微带线下的新型缺陷地结构(DGS),并对其性能进行了分析.将传统的DGS结构单元与新型DGS结构单元结合,采用低阻抗微带线,设计了一种超宽阻带低通滤波器.传统哑铃型DGS结构在较宽的阻带内提供衰减,新型DGS结构提供陡峭的阻带衰减响应,得到陡峭的阻带衰减和良好的阻带宽度.模拟仿真和实物测试表明,该滤波器的3dB截止频率为1.8 GHz,插损小于1dB,通带内S11均低于-20 dB,阻带在-20 dB以下的频段为2.92～19.59 GHz.与传统DGS低通滤波器相比,其尺寸减少了32％,实现了低通滤波器的宽阻带和小型化.

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来源
《电子元件与材料》 |2016年第2期|39-42|共4页
作者
王斌; 郭佳; 黄文; 荆麟;
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作者单位

重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;

重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;

重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;

重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类滤波技术、滤波器;
关键词
低通滤波器; 缺陷地结构(DGS); 宽阻带; 小型化; 微带线; 单极点;

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