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沉积在硅纳米孔柱阵列上的金网络

         

摘要

采用浸溃技术在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)衬底上沉积了金(Au),得到了Au的网络结构Au/Si-NPA.测试分析表明,将Au/Si-NPA进行600℃氧退火60 min,退火前后的Au晶粒度分别为26.0 nm和75.5 nm.无论是在氧气还是在氮气气氛下对Au/Si-NPA进行600℃退火,Au都不会渗透到Si-NPA衬底内,而且也不会与硅反应形成化合物.说明Au可作为良好的互连材料应用到超大规模集成电路中.

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