掺杂Sm2O3对BaSrTiO3介电陶瓷性能的影响

李远亮; 曲远方; 张庆军; 王冉然

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掺杂Sm2O3对BaSrTiO3介电陶瓷性能的影响

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以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Sm2O3为掺杂剂,制备了BaSrTiO3系介质陶瓷.利用SEM等仪器研究了陶瓷试样的微观形貌和介电性能.结果表明:当Sm2O3掺杂量低于0.10%摩尔分数时,Sm3+进入晶格A位;但随着Sm203掺杂量的增加,Sm3+越来越倾向于进入晶格B位.在Sm2O3掺杂量为摩尔分数0.10%时,BaSrTiO3陶瓷的相对介电常数达到最高值4 800;随着Sm203掺杂量继续增加,陶瓷的介电损耗逐渐降低,最低降至0.007 0.

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来源
《电子元件与材料》 |2010年第10期|11-13|共3页
作者
李远亮; 曲远方; 张庆军; 王冉然;
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作者单位

河北理工大学分析测试中心,河北唐山063009;

天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072;

天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072;

河北理工大学分析测试中心,河北唐山063009;

天津海运职业学院轮机工程系,天津300457;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类钛酸盐铁电体;
关键词
BaSrTiO3; Sm2O3掺杂; 介电性能; 居里温度; 微观形貌;

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