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用于铜互连CMP工艺的抛光液研究进展及发展趋势

         

摘要

在集成电路制造中,双大马士革技术已经被广泛应用于铜互连工艺中,其中采用了化学机械抛光(CMP)技术去除在布线时电镀阶段形成的多余铜,为下面的多层金属化结构提供一个平坦的表面.CMP将化学作用和机械作用相结合,是获得晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术.抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一,其性能的好坏直接决定晶圆的抛光效果和良品率.本文回顾了近年来国内外开发的各种新型铜抛光液,归纳总结表明铜抛光液正在朝着弱碱性、绿色环保、一剂多用和复配协同作用的方向发展.此外,展望了铜抛光液未来的重点研究方向.

著录项

  • 来源
    《电子元件与材料》 |2020年第9期|12-18|共7页
  • 作者单位

    河北工业大学 电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

    河北工业大学 电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

    河北工业大学 电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

    河北工业大学 电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

    河北工业大学 电子信息工程学院 天津 300130;

    天津市电子材料与器件重点实验室 天津 300130;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 表面处理;
  • 关键词

    铜互连; 化学机械抛光; 综述; 抛光液; 发展方向;

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