超短波低噪声放大器的设计

张博; 肖宝玉

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超短波低噪声放大器的设计

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采用0.5μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺技术设计了一款10～1000 MHz具有低噪声和高线性度的超短波低噪声放大器.该放大器利用有源偏置电路和共源共栅结构设计而成,提出的新型有源偏置电路使该低噪声放大器(LNA)能够在复杂的环境中稳定地工作.仿真结果表明,在工作频带内,增益高于22 dB,噪声系数低于0.7 dB,输出1 dB压缩点高于26 dBm,输出三阶交调点高于43 dBm.

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来源
《电子元件与材料》 |2021年第5期|474-478|共5页
作者
张博; 肖宝玉;
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作者单位

西安邮电大学电子工程学院陕西西安 710121;

西安邮电大学电子工程学院陕西西安 710121;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类低噪声放大器;
关键词
高线性度; 有源偏置; 共源共栅结构; 低噪声放大器; 输出三阶交调点;

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