基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究

缪文韬; 王军; 刘宇武

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基于物理结构的GaN HEMTs小信号等效电路的精确建模方法研究

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为了有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的精确建模方法。基于GaN HEMTs器件的本征物理结构,综合考虑器件在制版过程中由电极和通孔所带来的寄生特性,描述了一种具有26个详细参数网络的小信号等效电路模型。此模型考虑了器件在工作环境下所受到的集肤效应,同时通过对小信号等效电路进行双端口网络参数分析,推导了其准静态近似的微波等效电路参数直接提取的简化算法,最终通过ADS仿真平台将所建模型和传统模型的S参数模拟结果与实测数据的一致性进行对比,验证了小信号等效电路模型的精确性与参数提取算法的有效性。

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来源
《电子元件与材料》 |2022年第5期|531-538|共8页
作者
缪文韬; 王军; 刘宇武;
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作者单位

西南科技大学信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微波半导体器件;
关键词
GaN HEMTs; 物理结构; 小信号模型; 参数提取; 集肤效应;

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