RF采用CMOS工艺实现毫米波电路CMOS工艺带动频率和集成度提高

机译：在65 nm CMOS工艺中用于60 GHz RF电路的可配置ESD保护单元的设计和实现

机译：采用0.35 / spl mu / m CMOS工艺制造的5 Gbit / s 2：1多路复用器和采用0.5 / spl mu / m CMOS工艺制造的3 Gbit / s 1：2解复用器

机译：采用130nm CMOS工艺的毫米波折叠基板集成波导

机译：用于2.4GHz RFID应用的采用0.18μmCMOS工艺的寄生效应降解级联LNA电路

机译：采用高级SiGe和CMOS工艺的高功率毫米波信号生成

机译：使用商业0.18μmCMOS工艺制造的带有环形振荡器电路的丙酮微传感器

机译：采用130 nm CmOs工艺的隐式脉冲触发式触发器实现密码RFID标签的低功耗高效移位寄存器

机译：耐辐射电路采用2个商用0.25（微）CmOs工艺设计

机译：采用深n阱CMOS工艺实现的使用垂直双极结型晶体管的半导体电路

机译：直接转换接收器使用采用深n阱CMOS工艺实现的垂直型双极结型晶体管

机译：通过使用CMOS工艺实现的指数函数发生器和采用该函数的可变增益放大器