新型高密度晶体管的薄膜沉积技术

机译：高密度Ni纳米粒子的等离子体辅助原子层沉积，用于非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储

机译：使用自对准互连制造技术的新型三维高密度堆叠环绕栅晶体管（S-SGT）闪存架构，无需光刻工艺即可用于太比特级及以上

机译：用于P沟道薄膜晶体管的新型Sn（Dmamb）_2前体的原子层沉积的SnO膜

机译：具有革命性且真正意义上的3维25F / sup 2 / SRAM技术，具有最小的S / sup 3 /（堆叠式单晶硅）单元，0.16um / sup 2 /和SSTFT（无锁单晶薄膜晶体管），用于超高密度SRAM

机译：设计，沉积和表征用于有机光伏和薄膜晶体管的新型透明氧化物薄膜。

机译：高密度Ni纳米粒子的等离子体辅助原子层沉积用于非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储

机译：高密度Ni纳米粒子的等离子体辅助原子层沉积，用于非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管存储

机译：激光诱导表面化学外延：一种新型薄膜沉积技术

机译：包含相同组件的高密度氧化球和新型薄膜晶体管器件

机译：制造有机薄膜晶体管的蒸气沉积的掩模，使用相同薄膜制造有机薄膜晶体管的方法以及有机薄膜晶体管

机译：用于化学气相沉积的有机金属化合物，用于化学气相沉积的有机金属化合物的制备方法，新型金属薄膜和用于新型金属复合薄膜的化学气相沉积的方法