一款高线性度正电压控制的压控衰减器

许传栋; 苏郁秋; 董思源; 李光超; 周宏健

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一款高线性度正电压控制的压控衰减器

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针对高线性度压控衰减器对正电压作为控制信号的需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)0.25μm工艺,设计了一款1~6 GHz正电压控制的高线性度微波单片压控衰减器(VCA)。该压控衰减器控制管芯选择电阻变化率更小的D-mode PHEMT晶体管,通过电压浮地技术和采用片上集成隔直电容的方式,对传统的T型衰减电路的拓扑结构进行改进,从而实现0~5 V的正电压控制和高线性度。芯片在片测试结果表明,基态插入损耗小于2.3 dB,端口输入、输出电压驻波比小于1.6∶1,压控衰减器的衰减动态范围为0~28 dB,芯片尺寸为1.75 mm×1.35 mm×0.1 mm。

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来源
《电子设计工程》 |2022年第21期|71-74|共5页
作者
许传栋; 苏郁秋; 董思源; 李光超; 周宏健;
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作者单位

中科芯集成电路有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类均衡器、衰减器（衰耗器）;
关键词
砷化镓; 正电压控制; 高线性度; 压控衰减器;

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