先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能。本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有显著提高的体二极管特性,另外还介绍了其性能和效率。根据寿命控制的集中程度,UniFET II MOSFET可分为普通FET、FRFET和Ultra FRFET MOSFET,其反向恢复时间分别为传统MOSFET的70%、25%和15%左右。为了验证全新MOSFET的性能和效率,用带混频逆变器的150 W HID灯镇流器进行了实验。结果证明,两个UniFET II MOSFET可取代两个传统MOSFE和四个附加FRD,并且无MOSFET故障。
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