一种用于CIS的快速低噪声CMOS缓冲器

杨洁; 李梓钰

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一种用于CIS的快速低噪声CMOS缓冲器

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基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种用于CMOS图像传感器(CIS)的快速低噪声缓冲器.该缓冲器的面积相对较低,输出级采用改进式AB类输出级,不仅保证了建立速度,而且还能抑制由于电路结构不对称而带来的噪声.采用调零电阻补偿保证不同corner下的稳定性.仿真结果表明：在室温tt工艺下功耗为10μW,建立时间为8ns,低频输出噪声100dB,适用在各种高速度低功耗场合.

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来源
《电子产品世界》 |2012年第11期|45-46,54|共3页
作者
杨洁; 李梓钰;
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作者单位

华南农业大学工程学院广东广州510641;

遵义师范学院物理与机电工程学院贵州遵义563002;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
CIS; 低噪声; AB类; 缓冲器;

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