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Martin; Mason;
Actel公司半导体产品市场总监;
可编程器件; IP; 非易失性; iSuppli公司; 闪存; 资源开发; 知识产权; 设计人员; 设计资料;
机译:基于PFO掺杂ZnO的闪存器件和双稳态非易失性电阻开关特性
机译:基于O型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件,使用p型硅纳米线通道
机译:通过将MONOS /逻辑与新颖的编程方案相邻集成,基于闪存的低功耗,非易失性FPGA非易失性可编程开关
机译:基于物理的硅纳米晶非易失性闪存单元充电动力学建模
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件,使用p型硅纳米线通道
机译:固态非易失性电子可编程可逆可变电阻器件
机译:非易失性存储单元用于半导体器件的闪存单元具有分别减少流经非易失性可编程电阻器的泄漏电流的晶体管
机译:基于非易失性存储器和基于非易失性存储器的可编程逻辑器件的编程方法
机译:使用支持多个SPI闪存供应商和设备系列的基于SPI的串行闪存或从中加载程序来配置可编程半导体器件的灵活方案
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