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OptiMOS-T-新型55V车Trench MOSFET

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摘要

这种MOSFET在大多数应用中用作功率转换。55V的OptiMOS-T trench MOSFET允许在一个小面积下大幅度增加沟道密度，使在一个DPAK中电阻值达到5．5mΩ，在D2PAK中仅为2．7mΩ。

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来源
《电子产品世界》 |2005年第1a期|P.i002|共1页
作者

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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类静电感应场效应晶体管;
关键词
OptiMOS-T; trench; MOSFET; 坚固封装; 热循环能力; 性能特征;

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