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英飞凌打造全球尺寸量小的非易失性闪存单元

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英飞凌的专家已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元，打破了半导体行业的记录。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米，约为一根头发丝的直径的五千分之一。如果能够克服光刻等一切生产上的困难，这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32Gbit的非易失性闪存芯片，

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来源
《电子产品世界》 |2005年第2a期|P.111|共1页
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无;

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正文语种 CHI
中图分类存贮器;
关键词
英飞凌公司; 非易失性; 闪存单元; 电路宽度; 性能;

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