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张浩;
中国航空工业总公司第六一五研究所;
SRMA; 非易失性; 存储器; 静态RAM; 动态RAM;
机译:东京技术集团开发伪旋转非易失性SRAM(NV-SRAM)和非易失性触发器(NV-FF)
机译:东京技术本地集团,伪旋转非易失性SRAM(NV-SRAM)和非易失性触发器(NV-FF)开发
机译:使用自旋功能MOSFET的非易失性逻辑应用于非易失性电源门控逻辑验证非易失性SRAM /触发器的可能性
机译:低功耗11T-1MTJ非易失性SRAM单元,具有半选择自由操作
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:与SRAM PUFS的秘密密钥绑定多次观察
机译:基于铁电容器的非易失性SRAM设计的单事件效应模拟
机译:基于商用sRams中mOsFET阵列的阈值偏移的剂量测量
机译:具有氧化物堆叠的非易失性存储元件和使用该非易失性SRAM的非易失性SRAM
机译:具有氧化物堆叠的非易失性存储器件和使用该非易失性SRAM的非易失性SRAM
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