纳米级隧道效应器件——双电子层隧道晶体管和共振隧道二极管

机译：空穴隧道SI_（0.82）GE_（0.18）/ SI不对称 - 双量子阱谐振隧道二极管，具有高共振电流和抑制热离子发​​射

机译：930 ka / cm〜2峰隧道隧道隧道电流密度在Mocvd Gan-On-Sapphire模板上种植的甘克/ AIN共振隧道二极管

机译：MCF橡胶隧道二极管隧道二极管效应的量子力学理论研究

机译：InP / InGaAs核/壳纳米线隧道二极管，用于径向隧道场效应晶体管和多结太阳能电池应用

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。

机译：L型隧道场效应晶体管中使用叠栅抑制双极电流的研究

机译：光敏共振隧道二极管器件的建模

机译：LDRD项目最终报告：双电子层隧道晶体管（DELTT）

机译：组合晶体管隧道二极管CCT。 -在晶体管基极发射器cct中具有与肖特基二极管或锗二极管串联的隧道二极管。

机译：具有石墨烯-绝缘体-半导电核的结构的隧道二极管，隧道晶体管，隧道光电二极管和隧道光敏电阻

机译：使用晶体管偏置隧道二极管的隧道二极管电路