一种增大质量块的三轴MEMS加速度计的设计

冯堃; 张国俊; 王姝娅; 戴丽萍; 钟志亲

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cqvip:介绍了一种增大质量块设计的三轴MEMS加速度计。该加速度计基于绝缘体上硅(SOI)硅片,采用双面光刻、干法刻蚀的工艺,利用了部分SOI硅片的底层硅部分来增大加速度计的质量块,设计了基于单一米字形质量块的三轴MEMS电容式微加速度计。根据不同的外界加速度对器件产生的不同位移,研究了在三个轴向的加速度计的灵敏度,同时分析了加速度计的交叉轴耦合的影响。最后结合Ansys仿真结果得出:所设计的微加速度计具有较高的灵敏度、抗干扰能力强、噪声较小的优点,在惯性传感领域有一定的应用前景。

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来源
《电子产品世界》 |2020年第5期|59-62|共4页
作者
冯堃; 张国俊; 王姝娅; 戴丽萍; 钟志亲;
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作者单位

电子科技大学电子科学与工程学院成都611731;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
微机械系统; 三微加速度计; 高灵敏度; 绝缘体上硅;

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