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曹佩; 汪洋; 芦俊; 魏伟鹏; 李婕妤; 曹文苗;
湘潭大学 物理与光电工程学院 湖南 湘潭 411105;
可控硅(SCR); 硅化物阻挡层(SAB); 仿真; 传输线脉冲测试系统(TLP); 维持电压(Vh);
机译:硅化物阻挡层和接触电阻对ESD保护器件发热的影响
机译:带有密封层/ Al_2O_3或Al_2O_3 / high-k堆叠阻挡层的电荷陷阱闪光器件的保留特性得到改善
机译:氧诱导的贵金属硅化物形成的抑制:对钙钛矿材料使用的电极/阻挡层结构的影响
机译:使用低电压(LV)和高压(HV)碳化物(SIC)器件,实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用,以及高压(HV)碳化硅(SIC)器件
机译:MoO3阻挡层对ZnO纳米棒反转有机光伏器件的厚度依赖性
机译:由原子层沉积的氧化铝制成的有机器件的渗透阻挡层的厚度依赖性阻挡层性能
机译:耐火硅化物形成的氧化物阻挡层。
机译:在通过改进的形成具有稳定阈值电压和平坦带电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)结构的方法形成的CMOS器件中,实现在CMOS器件中实现阈值电压控制的阻挡层(的高k电介质选择性实现)
机译:可调双极可控硅维持电压,用于快速双极/ BICMOS电路的ESD保护
机译:具有电压维持区域的功率半导体器件,该电压维持区域包括由阶梯状沟槽形成的掺杂列
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