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TrenchStop^TM; IGBT; 英飞凌公司; trench技术; fieldstop技术; 性能特征;
机译:TRENCHSTOP性能IGBT可提高能源效率
机译:具有低剂量P缓冲和透明P发射极的600V薄晶圆PT-IGBT的新阳极设计概念具有低剂量P缓冲和透明P发射极的600 V薄晶圆PT-IGBT的新概念
机译:对600V沟槽IGBT的单一事件闸门破裂和硬化的实验研究
机译:具有2300 V和1200 V TRENCHSTOP(TM)IGBT7的PrimePACK(TM)在MW太阳能中央逆变器中实现1500 V-DC NPC2
机译:ProSeal(TM),SeLECTdefence(TM),OrthoCoat(TM)和Biscover LV(TM)树脂密封胶在预防牙釉质脱矿和白斑病变形成方面的功效。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:沟槽屏蔽平面栅极IGBT(TSPG-IGBT),具有自偏置PMOS,实现低导通状态电压和低饱和电流
机译:amberlite(Tm)GT-73a,purolite(Tm)s-920,Ionac(Tm)sR-4和sIR-200(Tm)树脂的除汞性能
机译:具有多晶硅正常入射的TM:II-VI TM:II-VI中红外克尔透镜模式锁定激光器TM:II-VI材料和控制多晶硅TM:II-VI Kerr透镜模式锁定激光器的方法
机译:逆变器电路对于放电灯,先开启第二/第三IGBT,然后再开启第一/第四IGBT,然后再关闭第一/第四IGBT,然后再阻止第二/第三IGBT
机译:TM介电共振器,实现TM介电共振器的方法和TM介电滤波器
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