GaN器件有望在中等耐压范围内实现出色的高频工作性能

水原德健

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GaN器件有望在中等耐压范围内实现出色的高频工作性能

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1罗姆看好哪类GaN功率器件的市场机会?GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)一样,是一种在功率器件中存在巨大潜力的材料。GaN器件作为高频工作出色的器件,在中等耐压范围的应用中备受期待。特别是与SiC相比,高速开关特性出色,因而在基站和数据中心等领域中,作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望(如图1、图2)。

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来源
《电子产品世界》 |2022年第1期|14-14|共2页
作者
水原德健;
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作者单位

罗姆半导体(北京)有限公司技术中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
开关电源; 功率器件; 开关特性; 氮化镓; 高频工作; GaN; 数据中心; 碳化硅;

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