三维封装DDR2存储器VD2D4G72XB191 XX3U6测试

汤凡; 占连样; 陈像; 王鑫; 王烈洋

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三维封装DDR2存储器VD2D4G72XB191 XX3U6测试

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DDR2 SDRAM具有速度快、价格便宜、容量大的特点,应用非常广泛。通过采用三维封装技术将5片数据位宽为16 bits的DDR2 SDRAM芯片封装成一个存储模块VD2D4G72XB191XX3U6,在不额外占用PCB面积的情况下,提高了存储容量,并将位宽扩展到72 bits。与其它存储器相比DDR2 SDRAM操作较为复杂,封装成一个位宽72bit的模块后,测试难度进一步增加,针对这一问题,本文提出了基于Magnum 2测试系统的DDR2 SDRAM存储模块VD2D4G72XB191XX3U6的测试方法,对直流参数、交流参数以及功能进行了测试,论述了测试的关键技术。

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来源
《电子产品世界》 |2022年第5期|78-82|共5页
作者
汤凡; 占连样; 陈像; 王鑫; 王烈洋;
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作者单位

珠海欧比特宇航科技股份有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类计算技术、计算机技术;
关键词
DDR2 SDRAM; Magnum 2测试系统; VD2D4G72XB191XX3U6;

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