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洪潇; 芦忠; 来萍;
工业和信息化部电子第五研究所;
砷化镓器件; 热阻测试; 结温;
机译:结温对IGBT开关能量损耗与器件电流之间关系影响的实验研究
机译:结温对硅冲击器件直流参数影响的数值研究
机译:GaAs纳米线三分支结器件非线性传输特性的光辐照局部电导调制方法评估及工作机理研究
机译:GaAs PHEMT中结温测试方法的研究
机译:GaAs / AlGaAs微异质结器件中的量子输运现象研究
机译:AlGaAs / GaAs异质结优化GaAs纳米线pin结阵列太阳能电池
机译:错误:'异质结半导体器件的结空电荷区域性能的分析研究:N-Alzga1-ZAS / P-GaAs系统的应用J。苹果。物理。 63,5766(1988)
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征
机译:半导体器件的结温测试方法
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:电压模转换器件中的计算器件半导体器件结温
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