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王文双; 费武雄;
工业和信息化部电子第五研究所,广东广州510610;
电离总剂量; 金属-氧化物-半导体器件; 辐照流程; 偏置条件;
机译:Co-60辐照对闪光存储器总剂量响应的方向依赖性
机译:Al_2O_3基金属氧化物半导体结构的总剂量效应及其在γ射线辐照下的机理
机译:总剂量辐照对H栅SOI NMOS器件阈值电压的影响
机译:总电离剂量辐照对CMOS技术的影响以及使用设计技术减轻总剂量效应
机译:异辛烷和正辛烷在强激光场中的光电离:辐照度对电离速率和电子动力学的影响。
机译:作为总剂量的3D保形加速局部乳房照射的总剂量在10分数中具有42 Gy的更高毒性:II级剂量递增试验的结果
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:离子化和非电离辐射对压阻式压力传感器芯片的总剂量效应。
机译:确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量法,以及扩大辐照期间可测量吸收辐射剂量上限的方法
机译:确定总剂量和剂量率的光激发发光辐射剂量学方法和一种在辐照期间扩展可测量吸收辐射剂量上限的方法
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