PHEMT器件界面态分析方法综述

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• 来源
  《电子产品可靠性与环境试验》 |2008年第3期|20-23|共4页
• 作者

  张鹏; 黄云; 李斌;

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• 作者单位

  华南理工大学物理科学与技术学院,广东广州,510641;

  信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

  信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;

  华南理工大学物理科学与技术学院,广东广州,510641;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 场效应器件;
• 关键词

  高电子迁移率场效应晶体管; 砷化镓器件; 界面态;