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GaAs表面处理与可靠性

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摘要

本文采用不同表面处理方法制备样品，利用Ｃ－Ｖ和边栅效应测试图形研究其对肖特基势垒的正向ｎ值，反向击穿电压和边栅效应的影响。将不同表面处理方法制备的器件进行可靠性试验，由此给出ＧａＡｓ表面处理的优化方法。

著录项

来源
《电子产品可靠性与环境试验》 |1997年第2期|29-32|共4页
作者
顾瑛; 张德胜;
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作者单位

西安电子科技大学;

西安电子科技大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
表面处理; 边栅效应; 优化; 砷化镓;

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