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热载流子; 应力; 界面陷阱生成机理; 热空穴; nMOSFET;
机译:使用浮栅技术在n-MOS晶体管的热载流子应力过程中表征氧化物陷阱和界面陷阱的形成
机译:电子陷阱在热载流子应力p-MOSFET中应力后界面陷阱产生中的作用
机译:确定不同热载流子应力模式下界面陷阱产生对n-MOSFET退化影响的新方法
机译:在热载流子应力作用下的主要界面陷阱产生过程MOSFETs
机译:简单机械性小肠梗阻过程中壁灌注的短暂恢复主要受壁内应力松弛控制
机译:MoS2薄膜阳极钠插层/萃取过程中异常界面应力的产生
机译:关于由于沟道热载流子应力而在MOS晶体管中产生界面陷阱的机制
机译:硅场效应晶体管中的热载流子诱导界面陷阱退火
机译:减少电荷界面陷阱和沟道热载流子降解的方法
机译:在高温分解或其他温度转换过程中去除沉积物的方法和系统包括:在高温分解或其他温度转换过程中去除热冷界面内或附近的沉积物。
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