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p-沟道; n-沟道; MOSFET; 漏极雪崩热载流子; 寿命模型; 热电子; 热空穴;
机译:在沟道热载流子/栅极引起的漏极泄漏交替应力作用下,具有高k /金属栅叠层的n-MOSFET的增强降解
机译:在Fowler-Nordheim和栅极热击穿之前的沟道热载流子注入下MOSFET漏极电流降低
机译:通过氢/氘同位素效应研究热载流子应力对n沟道MOSFET栅极感应漏极泄漏电流的影响
机译:用于n和p沟道MOSFET的漏极雪崩热载流子寿命模型
机译:SOI MOSFET的漏极泄漏和热载流子可靠性。
机译:洛仑兹力对单漏极MOSFET的漏极电流调制用于磁传感应用
机译:50nm MOSFET的升高的源极/漏极(RSD)-外延层厚度对短沟道效应的影响
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。
机译:场效应管N沟道MOSFET器件,曾经是电子设备的可编程存储单元,其源极的掺杂比漏极高,其中从沟道到漏极的掺杂杂质浓度梯度很高
机译:具有由共形再生源极/漏极金属和源极/漏极产生的单轴应变的量子阱沟道MOSFET
机译:使用异质结构凸起的源极/漏极区域在源极/漏极区域和沟道区域之间具有势垒的横向MOSFET
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