退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
FowlerNordheim; 隧道应力; 沟道热电子应力; 浮栅非易失性存储器; 数据保持特性;
机译:在恒定Fowler-Nordheim电流应力下,用于快速EEPROM的薄隧道栅氧化物的降解
机译:使用基于Fowler–Nordheim隧道的浮栅集成器的自供电计时和同步
机译:CMOS浮栅晶体管中Fowler-Nordheim隧道的效率和可靠性
机译:Fowler Nordheim隧穿应力与沟道热电子应力对浮栅非易失性存储器的数据保留特性的影响
机译:用于浮栅非易失性存储器应用的高级隧道电介质。
机译:氧含量对底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管电流应力诱导的不稳定性的影响
机译:非易失性存储器:新的浮栅存储器,具有出色的保持特性(ADV。电子。Matter。4/2019)
机译:用电离辐射和Fowler-Nordheim应力生成氮化氧化物栅介质中的界面态
机译:具有单多晶硅层存储单元的嵌入式非易失性存储器可通过带间隧道感应热电子擦除,并可通过Fowler-Nordheim隧道编程
机译:嵌入式非易失性存储器,带有单层多晶硅记忆体,可通过通道热电子进行编程,并且可通过FOWLER-NORDHEIM隧道擦除
机译:Fowler-Nordheim(F-N)隧道技术,可在浮栅存储器件中进行预编程
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。