科学家首次成功地在硅上集成50μm的厚锗——构造单片半导体结构技术取得突破

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瑞士和意大利的科学家在2012年3月30日出版的《科学》杂志上指出，他们在硅上构造单片半导体结构方面取得了重大的突破，成功地在硅上集成了50μm的厚锗；新结构几乎完美无缺，最新的研究将让包括X射线技术在内的多个领域受益。微电子设备几乎离不开硅，硅价格低廉、储藏丰富且坚固耐用。但硅也并非万能，有些材料的性能也比硅强，因此科学家正在想方设法地让硅同锗等其它半导体材料“联姻”，以获得这两种材料的最好性能，拓展新的应用领域。

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来源
《电子产品可靠性与环境试验》 |2012年第3期|39-39|共1页
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正文语种 chi
中图分类结构、器件;
关键词
半导体结构; 结构技术; 科学家; 单片; 构造; 集成; 半导体材料; 硅;

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