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STI过程参数; 双栅氧化; 完好性; 氧化层;
机译:源极掺杂分布对氧化物厚度的影响对单栅和双栅隧道场效应晶体管性能的影响
机译:顶栅偏压对双栅非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管光电流和负偏压照明应力不稳定性的影响
机译:栅金属溅射沉积过程中对栅氧化物可靠性的关注:低能大质量离子轰击的影响
机译:HF蚀刻对双栅氧化物CMOS技术的超薄芯栅氧化物完整性的影响
机译:利用双混合制冷剂技术分析设施中海上天然气液化过程的能耗和环境对二氧化碳和甲烷排放的影响
机译:冷血浆对阴天苹果汁中多酚氧化酶失活的影响及其对贮藏过程中果汁质量参数的影响
机译:电流反转对示踪剂原子数据对铝阳极氧化膜组成和性能的影响。过程物理参数在电解质阴离子渗透阳极膜中的作用
机译:由于厚栅氧化层而减小了薄栅通道注入轮廓的热分布的双栅氧化工艺
机译:双栅氧化工艺,由于厚栅氧化,减少了薄栅沟道注入轮廓的热分布
机译:双栅存储单元具有带有源区的硅衬底,带有非晶硅和二氧化钛混合氧化物的隧道氧化膜,用于存储电荷的浮栅,由介电材料制成的隔离层
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