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DC偏压应力; AlGaN; GaN; HEMT; 电流崩溃;
机译:AlGaN / GaN HEMT中缓冲层引起的逐渐的电流响应和电流崩溃分析。
机译:通过短期直流偏置应力在AlGaN / GaN Hemts中引起的电流崩溃
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:基于PD-Algan / GaN HEMTS栅极偏压调制的二氧化氮气体传感器性能优化
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:偏压应力在alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中引起的电流崩塌;杂志文章
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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