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我国在3D NAND存储器研发领域取得标志性进展

         

摘要

近日,由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司(以下简称"长江存储")与中科院微电子联合承担的3D NAND存储器研发项目取得重要进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会上介绍,32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。

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  • 来源
    《今日电子》 |2017年第3期|25-26|共2页
  • 作者

    Mary;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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