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移动式PMU的功率MOSFET故障:原因及设计考虑

         

摘要

汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态。另外,空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物,会引起低阻抗通路。时间一长,这些低阻抗通路和瞬态事件(例如:过载、电磁耦合和工作环境产生的易发尖峰等),会导致产生破坏性的电气过应力(EOS)状态。

著录项

  • 来源
    《今日电子》 |2014年第2期|30-33|共4页
  • 作者

    Kern Wong;

  • 作者单位

    德州仪器公司;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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