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我国1Gb独立式NOR闪存芯片研究取得突破

         

摘要

日前,中科院微电子所联合清华大学、北京大学在1Gb独立式NOR型闪存芯”研究上取得突破。移动通信等信息技术的迅猛发展加剧了对海量信息高速存取的需求。然而,大容量高速闪存芯片设计技术一直是我国存储芯片设计面临的主要技术瓶颈,我国存储企业依赖国外技术授权进行小容量嵌入式闪存产品设计的格局未发生改变。

著录项

  • 来源
    《今日电子》 |2013年第4期|27|共1页
  • 作者

    Mary;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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