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驱动IC; 高压; 封装; 国际整流器公司; 表面贴装技术; MOS电路; 驱动器IC; 有害物质;
机译:高压浮栅驱动器的双重低压IC设计
机译:采用晶圆级封装技术的IC内置聚酰亚胺多层布线板
机译:采用薄膜晶圆级封装技术的高价Q $ IC以上电感器,在90nm RF-CMOS 5-GHz VCO和24-GHz LNA上得到展示
机译:SiP(系统级封装)LGA(地栅阵列)的热机械仿真:内部IC(集成电路)对2级和2级焊接点可靠性的影响
机译:First-fevel Interconnects in Electronics Packaging: Alloyed Silver Intermetallic Growth Kinetics and Their Mechanical Reliability Effects on Wire Bonding =电子封装中的第一级互连:合金银互联金属生长动力学 和他们的机械可靠性 对线束的影响
机译:晶圆级真空封装电容式加速度计采用未经修改的商业MEMS工艺制造
机译:采用0.25 G siGe:C BiCmOs封装的10 Gb / s 5 Vpp或5.6 Vpp驱动器的单片集成硅调制器
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用
机译:采用同轴TIV的扇出式晶圆级封装,用于3D IC低噪声封装
机译:采用同轴TIV的扇出间晶圆级封装,用于3D IC低噪声封装
机译:包括栅电极级区域的集成电路,所述栅电极级区域包括交叉耦合的晶体管,所述交叉耦合的晶体管具有位于栅电极级区域的内部上方的栅极触点和偏置的栅级特征线端
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