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突破现有CMOS工艺限制的晶体管技术

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Freescale半导体公司的ITFET（Inverted T Channel-Field Effect Transistor）技术实现了在一个单一晶体管中结合了平面和垂直薄体结构，克服了垂直多栅晶体管所面临的许多设计和生产上的挑战，有望开创高性能、低功耗、小体积的新一代半导体器件。

著录项

来源
《今日电子》 |2006年第3期|34|共1页
作者
Alix; L．Paultre;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
技术实现; 晶体管; CMOS工艺; 半导体公司; 半导体器件; 薄体结构; 低功耗; 体积;

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