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无源元件集成技术取得新突破

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意法半导体（ST）近日公布了一项关于在薄膜无源元件集成工艺中大幅度提高结电容密度的突破性技术。这项技术是以一类被称作“PZT Perovskites”的物质为基础，该类物质是一种化合物，主要元素是铅、锆、钛及氧，根据锆和钛的比例，该物质可发生多种变化。它的介电常数高达900，

著录项

来源
《今日电子》 |2005年第12期|29|共1页
作者
王丽英;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类计算技术、计算机技术;
关键词
无源元件集成技术; 意法半导体公司; 集成工艺; 介电常数; 突破性; 结电容; 大幅度; PZT;

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