国际固体电路会议（ISSCC）将揭示SOI和高速缓冲存储器引发微处理器性能提高

Myrva.R; 王正华

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为期五天的国际固体电路会议(ISSCC)将要在2月14～18日在美国旧金山Marriott召开。SOI(绝缘体上硅)技术将会成为技术方向会场的热门话题。在会上发表的文章,将介绍SOI器件在性能方面的优点;所介绍的内容将不会再仅仅限于过去作为主要性能优点的抗辐射特性。前一段时间有不少人认为微处理器性能的提高将达不到Moors定律预期的指标;

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来源
《今日电子》 |1999年第3期|5|共1页
作者
Myrva.R; 王正华;
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作者单位

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TP3－27;
关键词
ISSCC会议; SOI; 微处理器; 存储器;

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