利用屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗

Mike Speed; Joe Yedinak; HL Lin

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利用屏蔽栅极功率MOSFET技术降低传导和开关损耗

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cqvip:监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高。新的设计要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关（UIS）能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30～200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方案。现在,通过提高开关性能,导通阻抗Rds（on）已能降低50%及以上,从而提高效率,为更高频率工作创造条件。本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET（40～300V）应用中的优势。

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来源
《今日电子》 |2011年第4期|38-39|共2页
作者
Mike Speed; Joe Yedinak; HL Lin;
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作者单位

飞兆半导体公司;

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