具有极低通态电阻的N沟道MOSFET系列

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cqvip:采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET具有极低的通态电阻，40V系列具备最低1．8mΩ的通态电阻，60V系列具备最低2．8mΩ的通态电阻，80V系列具备最低4．7mΩ的通态电阻。这些器件的FOM（品质系数）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%，能够更快速实现开关，同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗，提高功率密度，降低驱动器散热量。

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来源
《今日电子》 |2008年第6期|P.104|共1页
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
N沟道MOSFET; 通态电阻; 低开关损耗; TO封装; 高功率密度; 品质系数; 快速实现; 栅极驱动;

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