• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文期刊> 《今日电子》 >用作Pentium^(TM),Power PC^(TM)的二次超高速缓冲存储器的理想1兆位CMOS同步快速SRAM μPD431132L/μPD431232L

用作Pentium^(TM),Power PC^(TM)的二次超高速缓冲存储器的理想1兆位CMOS同步快速SRAM μPD431132L/μPD431232L

         
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

一、开发背景 快速SRAM(静态随机存取存储器)近来已将其应用范围扩大到作为超大型计算机、主计算机、工作站和个人计算机的超高速缓冲存储器,或者是作为测量仪器和通信设备的缓冲存储器。特别是,当更多的微处理机产品在市场上日益成为实用产品时,要求开发快速SRAM作为一种能描绘微处理机全部性能的超高速缓冲存储器。 为了满足这一要求,NEC推出了支持Mips的_μPD461016L和_μPD461018L以及支持PA-RISC^(TM*1)的_μPD46258。今次,NEC开发了1兆位CMOS同步快速SRAM,可以用作Intel公司Pentium^(*2)和IBM公司Power PC^(*3)的二次超高速缓冲存储器。

著录项

相似文献

  • 中文文献
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号