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碳化硅基; 氮化镓; 放大器; 无线基站; 高线性度; 运营成本; 晶体管; 封装;
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机译:质子辐照对碳化硅高电子迁移率晶体管基射频功率功率放大器的无缓冲氮化镓
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机译:碳化硅和氮化镓基电力电子在电力运输部门的新兴作用
机译:6H-碳化硅(0001)的表面蚀刻及其对氮化镓,MOCVD的氮化铝和APCVD的碳化硅生长的影响。
机译:氮化镓等离子增强原子层沉积对氮化镓基高电子迁移率晶体管的氮化铝表面钝化
机译:微波集成电路放大器设计提交给Qorvo用于制造0.09微米高电子迁移率晶体管(HEmT),使用碳化硅(siC)上的2密耳氮化镓(GaN)。
机译:发射辐射的半导体元件包括具有多个氮化镓基层的碳化硅基衬底,该多个氮化镓基层包含布置在n导电层和受应力的p导电层之间的有源区。
机译:用于氮化镓基器件的多晶硅碳化硅衬底具有薄的蓝宝石层,该蓝宝石层设置在衬底的上表面上方,其中该层具有特定的厚度,并且上表面用于容纳器件的层
机译:碳化硅层制造方法,氮化镓基半导体器件和硅基质
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