高功率密度30V功率晶体管

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30V表面贴装功率晶体管采用STripFET VI DeepGATE制造工艺，大大提高单元密度，新产品具有出色的导通电阻。首批产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5mm×6mm PowerFLAT封装，单位面积导通电阻达到极低；STD150N3LLH6采用DPAK封装，导通电阻为2．4mQ。

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来源
《今日电子》 |2009年第5期|91-92|共2页
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正文语种 chi
中图分类变换器;
关键词
功率晶体管; 高功率密度; 导通电阻; 表面贴装; 制造工艺; 单元密度; 单位面积; 产品;

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