300W塑封氮化镓功率晶体管

机译：质子辐照对碳化硅高电子迁移率晶体管基射频功率功率放大器的无缓冲氮化镓

机译：电流商用氮化镓功率晶体管对功率转换器损耗的影响

机译：基于氮化镓的HEMT晶体管技术，用于微波功率电子学和功率电子学

机译：基于印刷电路板集成电流传感器的氮化镓 - 氮化镓功率晶体管非常快速的短路保护

机译：功率晶体管中的分布效应以及氮化铝镓/氮化镓HFET布局的优化。

机译：具有厚铜金属化特性的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm

机译：关于当前一代商用氮化镓功率晶体管对功率变换器损耗的影响

机译：控制和辐照氮化镓功率晶体管的热循环和高温反向偏压测试。

机译：功率放大器中使用的场效应晶体管由双重异质结构组成，该异质结构由氮化镓制成的沟道层，覆盖层和带隙比氮化镓高的背面势垒层组成

机译：使用氮化镓晶体管的功率放大器，功率放大系统和功率放大方法

机译：具有自偏压功能的高功率氮化镓HEMT晶体管结构使用氮化铝