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杨卓; 李培咸; 张锴; 周小伟;
西安电子科技大学技术物理学院,陕西西安710071;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安710071;
InGaN; 太阳能电池; p电极; 指叉间距;
机译:压电极化对p-on-n(0001)面GaN / InGaN p-i-n太阳能电池性能影响的数值研究
机译:CNT / TiO2纳米复合光电极染料敏化太阳能电池在不同退火温度下对光伏性能的形态学影响
机译:基于不同铟含量的InGaN / Si异质结太阳能电池性能分析
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:紫外 - 蓝绿色地区发射波长的InGaN垂直型太阳能电池性能研究
机译:高性能InGaN基太阳能电池。
机译:通过使用两种同时具有不同玻璃化转变温度的玻璃熔块,能够在不降低电导率的情况下跨越烧结温度范围的太阳能电池的电极组成,以及包含相同玻璃的太阳能电池
机译:具备配线基板的背面电极型太阳能电池单元和背面电极型太阳能电池单元,可以提供太阳能电池模块和极性不同的电极
机译:用不同空间取向研究太阳能电池特性的实验室研究平台
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