CMOS伪差分E类射频功率放大器设计

罗志聪; 黄世震

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分析了E类功放的非理想因素,其中着重分析寄生电感对系统性能的影响,采用伪差分E类功放结构有效地抑制寄生电感的影响.最后基于理想的设计方程和Load Pull技术,采用0.18μm CMOS工艺,设计出高效率的差分E类功率放大器.在电源电压1.8 V,温度25℃,输入信号0 dBm条件下,具有最大输出功率26.1 dBm,PAE为60.2%.

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来源
《电子科技》 |2010年第10期|49-52|共4页
作者
罗志聪; 黄世震;
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作者单位

福建农林大学机电工程学院,福建,福州,350002;

福州大学福建省微电子与集成电路重点实验室,福建,福州,35002;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类依探测的波长范围分;
关键词
伪差分E类; 射频功率放大器; Load pull技术; 寄生电感; CMOS;

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