基于0.18 μm CMOS工艺的2.5 GB/s时钟恢复电路设计

机译：采用0.18μmCMOS的低功耗20Gb / s 1：4解复用器的设计

机译：0.18μmCMOS低功耗20Gb / s 1∶4解复用器的设计

机译：0.18μmCMOS低功耗20Gb / s 1∶4解复用器的设计

机译：采用0.18μmCMOS技术的高线性互阻放大器，用于20Gb / s PAM-4接收器

机译：基于0.18μMCMOS工艺的2GHz发射机设计及其线性化，以及基于0.25μM锗硅双极工艺的8 GHz收发器设计（采用GSML方法）。

机译：使用标准的0.18-μmCMOS工艺制造的微磁场传感器

机译：具有0.13 µm技术的自适应CTLE和半速率DFE的20Gb / s有线接收器

机译：Nb25mo25Ta25W25和V20Nb20mo20Ta20W20耐火高熵合金的力学性能（后印刷）。

机译：生产直径为325×12 mm的热轧机加工管的方法，该管的直径精度很高，钢壁为12H12M1BFRU-W（EP450U-W）和16H12MVSFBR-W（EP823-W），用于在轧机HPT 450中轧制THEIR和HPT 250管道清管器尺寸202±1,2×3,5 + 0,3 / -0.2毫米194±1,2×2,5 + 0,3 / -0.2毫米以及随后的轮廓HEX管道-ZAGOTOVKI尺寸“交钥匙” 181.8±0.4×3.5 + 0.3 / -0.2×3750 + 20 / -0毫米和175±0.4×2.5 + 0.3 / -0.2×2680 + 20 / -0 mm用于新一代FAST NEUTRON反应堆

机译：生产直径为325×12 mm的热轧机加工管的方法，其直径精度高，钢壁为12H12M1BFRU-W（EP450U-W），16H12MVSFBR-W（EP823-W），用于在轧机HPT 450中轧制THEIR和HPT 250清管尺寸202±1,2×3,5 + 0,3 / -0.2毫米194±1,2×2,5 + 0,3 / -0.2毫米和随后的外形HEX PIPE空白尺寸``交钥匙''181.8±0.4×3.5×0.3 / -0.2×3750 + 20 / -0 mm和175±0.4×2.5 + 0.3 / -0 2×2680 + 20 / -0 mm，用于新一代FAST NEUTRON反应堆

机译：基于在21位未取代的δ17（20）-20-酰氧基-11-氧代-孕烯，11beta，17α-二羟基-20-氧代-孕烯的制备方法